微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備專利登記公告

專利名稱：微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備

摘要：本發明涉及一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，包括：（1）清洗微通道；（2）配制鋅鹽的醇溶液和堿的醇溶液，然后同時將所述的兩種溶液推入清洗后的微通道內，加熱保溫，烘干得已生長有ZnO晶種的微通道；（3）配制鋅鹽與氟鹽混合水溶液、堿的水溶液，然后將所述的兩種溶液同時推入上述已生長有ZnO晶種的微通道內，連續通入0.5～3h后停止輸送溶液，升溫至130～200℃烘1～4h；最后用去離子水清洗并在130～200℃下烘1～4h，即可。本發明的制備方法簡便，操作簡單，本發明得到的薄膜的膜與基底

專利類型：發明專利

專利號：CN201210162866.3

專利申請（專利權）人：東華大學

專利發明（設計）人：王宏志;張權;李耀剛;張青紅

主權項：一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，包括：（1）首先將微通道用酸洗液在60～80℃下浸泡10～30min，然后去離子水沖洗，接著用堿洗液在60～80℃下浸泡10～30min，再用去離子水沖洗，最后烘干，得到清洗后的微通道；（2）配制濃度為0.5mM～50mM鋅鹽的醇溶液和2mM～0.2M堿的醇溶液，然后分別以10μL/min～100μL/min的速度同時將所述的兩種溶液推入清洗后的微通道內，待溶液充滿微通道后，停止輸送；然后于40～60℃保溫2～4h，再升溫至70～90℃保溫2～4h

專利地區：上海